最近，HW的多項(xiàng)芯片相關(guān)專利已經(jīng)公開(kāi)，除了已經(jīng)公開(kāi)的駕駛輔助、車輛驅(qū)動(dòng)芯片等相關(guān)專利外，所涉及的技術(shù)也首次擴(kuò)展到IGBT和密封測(cè)試領(lǐng)域。

根據(jù)公開(kāi)資料，去年11月，HW續(xù)簽了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及相關(guān)芯片和制造方法”的發(fā)明專利，以提高 IGBT 在高電感負(fù)載電路中的性能。

HW同期公布的其他專利還包括駕駛輔助系統(tǒng)、車載攝像頭和車載驅(qū)動(dòng)芯片等。由于IGBT在當(dāng)前消費(fèi)領(lǐng)域多用于電動(dòng)汽車，因此HW深度研發(fā)電動(dòng)汽車底層設(shè)備和解決方案的可能性很大。

無(wú)獨(dú)有偶，12月2日，HW深度合作的賽力斯汽車公司發(fā)布了“由HW深度賦能”的全新高端產(chǎn)品品牌AITO。HW智能汽車解決方案BU CEO，該車是首款搭載一個(gè)最新鴻蒙生態(tài)（HarmonyOS）座艙的車型，聯(lián)系起來(lái)實(shí)在引人遐想。

此外，HW近最近宣布了兩項(xiàng)芯片封裝技術(shù)的專利，即“封裝芯片及封裝芯片的制造方法”和“芯片封裝組件、電子設(shè)備和芯片封裝組件的制造方法”。

2021年6月，HW在武漢建立首家光通信芯片制造工廠的消息傳出。盡管尚不清楚該項(xiàng)封裝技術(shù)具體可以用于何種芯片，但隨著供應(yīng)鏈封鎖的持續(xù)，5G通信、汽車、手機(jī)等業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)步入深水區(qū)，HW深度介入更廣泛的半導(dǎo)體材料技術(shù)研發(fā)和制造已經(jīng)逐漸成為不得不走的一步。

向公眾披露的專利 HW涉及先前披露的“雙芯堆”技術(shù)，包括3D封裝、異構(gòu)化等。

此前有猜測(cè)稱，手機(jī)SoC采用雙核疊加技術(shù)，多個(gè)14nm芯片疊加接近7nm芯片的性能，類似于近年來(lái)因摩爾定律的限制而火起來(lái)的Chiplet技術(shù)。